IP NAME | IP Description | Vendor Name | Datasheet download | |
1 | PCIe 2.1 and Gen3 | FDSOI 28nm |
Sankalp Semiconductor | |
2 | LPDDR2, LPDDR3 | FDSOI 28nm |
Sankalp Semiconductor | |
3 | DDR2, DDR3 IOs | HPM/GP 28nm |
Sankalp Semiconductor | |
4 | 低功耗I/O解决方案 | 锐成芯微 | ||
5 | SerDes | 锐成芯微的SerDes IP可支持USB、PCIe、SATA等接口协议。 |
锐成芯微 | |
6 | USB2.0和USB1.1 | 锐成芯微可提供标准或免晶振的USB IP产品。产品支持UTMI标准接口,具备良好的兼容性。 |
锐成芯微 | |
7 | MIPI D-PHY | 锐成芯微提供低功耗和高性能MIPI D-PHY IP,支持DSI/DSI-2和CSI-2协议,符合MIPI D-PHY rev1.1规范。 |
锐成芯微 | |
8 | 高性能、低功耗射频Wi-Fi6、蓝牙解决方案 | 锐成芯微可提供具有低功耗、高性能的RF IP,包括低功耗蓝牙(BLE),双模蓝牙(BLE&BT)、Wi-Fi6等。 |
锐成芯微 | |
9 | LogicFlash Pro® eFlash | LogicFlash Pro® eFlash是拥有自主知识产权的嵌入式闪存技术,可实现高性能、高可靠性的大容量存储。 已推出基于BCD高压工艺的LogicFlash Pro® eFlash IP 具有高可靠性、高兼容性等优点, 适用于汽车电子等高温环境和高可靠性场景下的应用, Data Retention性能已达到AECQ100 Grade1考核标准, 目前已在国内知名晶圆代工厂验证成功,并导入客户项目。 |
锐成芯微 | |
10 | LogicEE® EEPROM | LogicEE® EEPROM IP是替代外部EEPROM的IP解决方案,可在逻辑工艺上实现,而无需增加额外的光罩层次。最大支持2KB(Byte)存储容量,并可实现位操作,同时提供高达10万次的写入及擦除次数。 |
锐成芯微 | |
11 | LogicFlash® MTP | LogicFlash® MTP是一种基于CMOS工艺的嵌入式非挥发性存储器技术,基于逻辑工艺实现,无需增加额外光罩层次,或通过增加1层额外光罩,缩减IP面积,适合于1Mbit以内的中等容量应用,同时提供高达1万次的擦写次数。 LogicFlash®技术可以在0.18um到55nm的Logic/BCD/HV/SiGe等工艺上实现。 |
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12 | SuperMTP | SuperMTP® 是拥有自主知识产权的嵌入式MTP技术,可实现面向汽车电子应用的高性能、高可靠性的嵌入式存储。 产品开发验证中。 |
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13 | Sensor/Detector | 锐成芯微可提供一系列片上传感器IP、检测IP、放大器IP、比较器等IP产品,包括:光检测、温度检测、频率检测、电压检测、AMP、Comparator等,可广泛应用于信息安全以及物联网等领域。 |
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14 | ADC/DAC/CODEC | 锐成芯微可提供具备低功耗特性的SAR ADC、Sigma-delta ADC、R2R DAC、高速ADC和DAC、Audio CODEC等IP产品。其中ADC可根据客户需要增加低温漂高精度内置基准源,为性能提供可靠保证。 |
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15 | CLOCK | 锐成芯微基于超低功耗技术推出了一系列时钟类IP产品,可提供RC OSC、Crystal OSC driver、高性能小数分频PLL 等IP产品。该系列IP具备低温漂特性,输出时钟抖动低,为系统提供稳定可靠的时钟源。 |
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